Silic karabit SiC

Përshkrim

Meshë silic karabit SiC, është komponim kristalor jashtëzakonisht i fortë, i prodhuar në mënyrë sintetike i silikonit dhe karbonit me metodën MOCVD, dhe shfaqhendeku i tij unik i brezit të gjerë dhe karakteristikat e tjera të favorshme të koeficientit të ulët të zgjerimit termik, temperaturës më të lartë të funksionimit, shpërndarjes së mirë të nxehtësisë, humbjeve më të ulëta të ndërrimit dhe përcjelljes, më efikase në energji, përçueshmërisë së lartë termike dhe forcës më të fortë të prishjes së fushës elektrike, si dhe rrymave më të përqendruara gjendje.Silic Carbide SiC në Western Minmetals (SC) Corporation mund të ofrohet në përmasat 2″ 3' 4" dhe 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) me diametër, me vaferë të tipit n, gjysmë izolues ose dummy për industriale dhe aplikimi laboratorik. Çdo specifikim i personalizuar është për zgjidhjen perfekte për klientët tanë në mbarë botën.

Aplikacionet

Vafera me karabit silikoni 4H/6H me cilësi të lartë SiC është e përkryer për prodhimin e shumë pajisjeve elektronike më të avancuara të shpejta, me temperaturë të lartë dhe me tension të lartë si diodat Schottky & SBD, MOSFET & JFET me komutim me fuqi të lartë, etj. gjithashtu një material i dëshirueshëm në kërkimin dhe zhvillimin e transistorëve dhe tiristorëve bipolarë me portë të izoluar.Si një material gjysmëpërçues i gjeneratës së re, vafera Silic Carbide SiC shërben gjithashtu si një shpërndarës efikas i nxehtësisë në komponentët LED me fuqi të lartë, ose si një substrat i qëndrueshëm dhe popullor për rritjen e shtresës GaN në favor të eksplorimit shkencor të synuar në të ardhmen.

Hetim tani

Detajet

Etiketat

Specifikime teknike

Silic karabit SiC

Silic karabit SiCnë Western Minmetals (SC) Corporation mund të sigurohet në përmasat 2″ 3' 4" dhe 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) me diametër, me vaferë të tipit n, gjysmë izolues ose dummy për aplikim industrial dhe laboratorik .Çdo specifikim i personalizuar është për zgjidhjen perfekte për klientët tanë në mbarë botën.

Formula lineare	SiC
Peshë molekulare	40.1
Struktura kristalore	Wurtzite
Pamja e jashtme	Të ngurta
Pika e shkrirjes	3103±40K
Pikë vlimi	N/A
Dendësia në 300K	3,21 g/cm³
Hendeku i Energjisë	(3.00-3.23) eV
Rezistenca e brendshme	>1E5 Ω-cm
Numri CAS	409-21-2
Numri EC	206-991-8

Nr.	Artikuj	Specifikimi standard
1	Madhësia SiC	2"	3"	4"	6"
2	Diametri mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0.5	150 0.5
3	Metoda e Rritjes	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Lloji i përçueshmërisë	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Rezistenca Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientim	0°±0,5°;4,0° drejt <1120>
7	Trashësia μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Vendndodhja kryesore e banesës	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Gjatësia e sheshtë primare mm	16±1.7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Vendndodhja e banesës dytësore	Silikoni me fytyrë lart: 90°, në drejtim të akrepave të orës nga rrafshnalta kryesore ±5,0°
11	Gjatësia e sheshtë dytësore mm	8±1.7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Përkuluni μm max	40	40	40	40
14	Deformoni μm max	60	60	60	60
15	Përjashtimi i skajit mm max	1	2	3	3
16	Dendësia e mikrotubit cm-2	<5, industriale;<15, laborator;<50, bedel
17	Dislokimi cm-2	<3000, industriale;<20000, laborator;<500000, bedel
18	Vrazhdësia e sipërfaqes nm max	1 (I lëmuar), 0,5 (CMP)
19	Çarje	Asnjë, për klasën industriale
20	Pllaka gjashtëkëndore	Asnjë, për klasën industriale
21	Gërvishtjet	≤3mm, gjatësia totale më e vogël se diametri i nënshtresës
22	Patate të skuqura buzë	Asnjë, për klasën industriale
23	Paketimi	Enë e vetme vafere e mbyllur në qese të përbërë prej alumini.

Silic karabit SiC 4H/6HVafera me cilësi të lartë është e përkryer për prodhimin e shumë pajisjeve elektronike më të avancuara të shpejta, me temperaturë të lartë dhe me tension të lartë si diodat Schottky & SBD, MOSFET & JFET me komutim me fuqi të lartë, etj. Është gjithashtu një material i dëshirueshëm në kërkimi dhe zhvillimi i transistorëve dhe tiristorëve bipolarë me portë të izoluar.Si një material gjysmëpërçues i gjeneratës së re, vafera Silic Carbide SiC shërben gjithashtu si një shpërndarës efikas i nxehtësisë në komponentët LED me fuqi të lartë, ose si një substrat i qëndrueshëm dhe popullor për rritjen e shtresës GaN në favor të eksplorimit shkencor të synuar në të ardhmen.